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J-GLOBAL ID：200903095494360612

歪抵抗材料とその製造方法および薄膜歪センサ

Inventor： 中釜 詳治 ,  大久保 総一郎 ,  内海 慶春 ,  岡本 曉
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993021964
Publication number (International publication number)：1994213612
Application date： Jan. 14, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 Cr系歪抵抗膜を用いて実際にブリッジ回路を形成してみると、ブリッジを構成する各歪抵抗膜のTCR及びTCSのバラツキが大きいために歪センサ-に応用した場合の温度特性が悪くなるという問題がある事が分かった。そこで、温度特性の良い(温度安定性の優れた)歪センサ-を作製するためには、ゲ-ジ率、TCR、TCSに加えてTCR及びTCSのブリッジ内バラツキ(δTCR及びδTCS)が小さい薄膜歪抵抗材料を提供することにある。【構成】 本発明の歪抵抗材料は、クロムを主体とし、2〜15原子%のIIa族元素からなり、基板の上に薄膜として形成した事を特徴とし、ここでIIa 族元素というのは、Mg、Ca、Ba、Beをさす。

Claim (excerpt)：

クロムを主体とし、2〜15原子%のIIa 族元素からなり、基板の上に薄膜として形成された事を特徴とする歪抵抗材料。

IPC (3)：

G01B 7/18 ,  G01L 1/18 ,  H01L 29/84