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J-GLOBAL ID：200903095503871986

半導体発光素子

Inventor： 西 研一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 鈴木 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999019089
Publication number (International publication number)：2000223776
Application date： Jan. 27, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板上に多層膜積層構造と、量子井戸を含む活性層との複合構造を有する半導体発光素子において、積層面に垂直方向に出射する光の偏光を一意に決定した半導体発光素子を提供する。【解決手段】 量子井戸4と、〔011〕方向に形成された量子細線層8を、Siドープn型のGaAs/AlAs分布型ブラッグ反射鏡3とBeドープp型のGaAs/AlAs分布型ブラッグ反射鏡9の間に位置させた面発光レーザにおいて、共振波長を980nmとした場合、量子井戸からの利得に加え、量子細線からの、〔011〕方向に大きい利得が存在するため、発振光の偏光が〔011〕方向に一意に決定される。量子細線の代わりに、面内に異方的な形状を有する量子ドットを用いても、量子井戸からの利得と併せて、発振光の偏光を決定することができる。したがって、面内に異方的な光学特性が存在しないような素子構造、面方位を用いても面発光レーザの偏光を制御することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、多層膜積層構造と、電流注入により発光する活性層とが複合構造として形成され、前記多層膜積層構造によって規定される波長の光を積層面に垂直方向に出射する半導体発光素子において、前記活性層は、膜厚が電子のド・ブロイ波長程度以下である少なくとも1層以上の量子井戸を有し、かつ、積層面内、積層方向ともその寸法が100nm程度以下で、キャリヤが2次元的に閉じこめられる量子細線からなる層、または3次元的に閉じ込められる半導体量子ドットからなる層の、少なくともどちらかの層を1層以上有し、前記記量子井戸の利得帯域と、前記量子細線または量子ドットの利得帯域の共通する波長に、共振波長が設定されていることを特徴とする半導体発光素子。

F-Term (8)：

5F073AA74 ,  5F073AA75 ,  5F073AB17 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073DA06 ,  5F073DA25 ,  5F073EA22