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J-GLOBAL ID：200903095507583489
貼合せSOIとその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
猪熊 克彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993250155
Publication number (International publication number)：1995086540
Application date： Sep. 09, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】デバイスを組み込んだときの酸化膜耐圧が十分に高く、したがってデバイスの歩留りを向上することができる貼合せSOI5とその製造方法を提供する。【構成】基板9上に、絶縁層8を介して、レーザー散乱体密度が5×105個/cm3以下であるエピタキシャル層7が貼り合わせられたことを特徴とし、また、第1のウェハ6上にエピタキシャル層7を成長させ、この第1のウェハ6と第2のウェハ9との少なくともいずれか一方に絶縁層8を形成し、エピタキシャル層7側を接着面として第1のウェハ6を第2のウェハ9上に重ね合わせて両ウェハ6,9を接着し、第1のウェハ6の全部とエピタキシャル層7の一部を除去して半導体ウェハ5に形成することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に、絶縁層を介して、レーザー散乱体密度が5×105個/cm3以下であるエピタキシャル層が貼り合わせられた貼合せSOI。
IPC (4)：
H01L 27/12
, C30B 15/00
, H01L 21/02
, H01L 21/208
Cited by examiner (5)
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