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J-GLOBAL ID：200903095518720526
縦型MOSトランジスタおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992303981
Publication number (International publication number)：1994151867
Application date： Nov. 13, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【目的】 トレンチ構造の縦型MOSトランジスタのオン抵抗を低くし高耐圧化し、さらに工程を簡略化する。【構成】 N型の半導体基板1の表面に網目状に積層して形成されたP型のウェル拡散層5とN型のソース拡散層6と、それらの間の溝の絶縁膜17に埋設されたポリシリコン層4のゲートが設けられている。ソース拡散層6の下部のウェル拡散層5の下方に延長する深いP型拡散層14が設けられている。ウェル拡散層5とソース拡散層6はイオン注入と熱拡散により形成される。
Claim (excerpt)：
第1の導電型の半導体基板の表面に網目状に積層して形成された第2の導電型のウェル拡散層と第1の導電型のソース拡散層と、これらの間の溝の絶縁膜に埋設されたゲートとを有するトレンチ構造の縦型MOSトランジスタにおいて、ソース拡散層の下部のウェル拡散層の下方に延長する深い第2の導電型の拡散層を有することを特徴とする縦型MOSトランジスタ。
Patent cited by the Patent：
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