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J-GLOBAL ID：200903095536920893
イオン濃度センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993035871
Publication number (International publication number)：1994249824
Application date： Feb. 24, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：
【要約】【目的】 参照電極に要求される性能を具備するとともに、マイクロ化が可能な固体参照電極を用いてマイクロ化が可能なイオン濃度センサを提供すること。【構成】 絶縁ゲート膜2上にイオン感応膜5を成膜してなるイオン感受性電界効果型トランジスタ7と、水素化パラジウムよりなる固体参照電極6とを電源回路Fで接続してなるものである。【効果】 固体参照電極を用いたので、長期安定性、再現性が向上するとともに、マイクロ化が容易にできるようになる。また、イオン濃度センサ自体をマイクロ化することが可能となり、各種イオン用ISFETを複合化できて複数のイオン濃度を同時に測定できるセンサがえられる。
Claim (excerpt)：
絶縁ゲート膜上にイオン感応膜を成膜してなるイオン感受性電界効果型トランジスタと、水素化パラジウムよりなる固体参照電極とを電源回路で接続してなるイオン濃度センサ。
FI (2)：
G01N 27/30 301 A
, G01N 27/30 301 X
