Pat

J-GLOBAL ID：200903095540410093

ジョセフソン接合素子の製造方法

Inventor： 松田 直樹 ,  品田 恵 ,  吉田 玲子
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 西岡 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000268086
Publication number (International publication number)：2002076456
Application date： Sep. 05, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 特殊な集束イオンビーム装置や高精度のXYステージを用いなくても、イオン注入によりノックアウト効果を利用したジョセフソン接合部を形成できるジョセフソン接合素子製造方法を提供する。【解決手段】 基板7上に下部電極1が形成され、その上に絶縁層3が形成され、さらにその上に上部電極2が形成されて成る積層ジョセフソン接合素子基盤に、フオトリソグラフィ技術を使ってジョセフソン接合させる部分を除き、フオトレジスト膜5を塗布してマスキング処理を行う。次に、イオン注入装置によってイオンビームを照射する。イオンビームはフオトレジスト膜5でマスキングされた部分はフオトレジスト膜5によって遮断されるが、塗布されていないウインドウ部分ではイオンビームは絶縁層3にまで到達し、その部分の絶縁層は酸素または窒素の低濃度領域となって電気的に弱結合状態にあるジョセフソン接合部4が形成される。

Claim (excerpt)：

ウエハ上に集積化され、絶縁層を挟んだ2つの超伝導電極にイオンビームを照射して、イオン注入することにより絶縁層の原子を叩き出すノックアウト効果を利用し、部分的に還元させることで超伝導電極間の弱結合を形成してジョセフソン接合部を作製するようにしたジョセフソン接合素子の製造方法において、イオン注入の不必要な箇所にマスキングを施してウエハにイオンビームを照射し、選択的にイオン注入するようにしたことを特徴とするジョセフソン接合素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (2)：

H01L 39/22 ZAA A ,  H01L 39/24 ZAA J

F-Term (11)：

4M113AA04 ,  4M113AA14 ,  4M113AA27 ,  4M113AA37 ,  4M113AA60 ,  4M113AC06 ,  4M113AC24 ,  4M113BB07 ,  4M113BC02 ,  4M113BC08 ,  4M113CA13