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J-GLOBAL ID：200903095546140195

可変容量素子およびラジオ受信機

Inventor： 高橋 輝之 ,  池田 洋一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993324245
Publication number (International publication number)：1995183767
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 複同調回路用に且つバックトゥ-バック用に形成した可変容量ダイオ-ドを各々別個の半導体チップに形成して1パッケージに封止することにより、同調回路の回路構成を簡素にすること。【構成】 半導体チップ10に可変容量ダイオ-ドD1、D2を、半導体チップ11にD3、D4を各々形成し、個別のタブ部13、14にダイボンドする。可変容量ダイオ-ドD1、D2は第1の同調回路用、可変容量ダイオ-ドD3、D4は第2の同調回路用である。交流接地すべき可変容量ダイオ-ドD2のアノ-ドと可変容量ダイオ-ドD4のアノ-ドを共通端子としての第2のアノ-ドリード20にワイヤボンドする。全体を一つのパッケージとしてモ-ルドする。

Claim (excerpt)：

基板を共通のカソードとして少なくとも2個の可変容量ダイオ-ドを半導体基板の表面に形成した第1と第2の半導体チップと、前記第1の半導体チップをダイボンドした第1のタブ部と、前記第2の半導体チップをダイボンドした第2のタブ部と、前記第1のタブ部に連結する第1のカソ-ドリードと、前記第2のタブ部に連結する第2のカソ-ドリードと、前記第1の半導体チップの一方の可変容量ダイオ-ドのアノ-ドを外部に導出する第1のアノ-ドリ-ドと、前記第1の半導体チップの他方の可変容量ダイオ-ドのアノ-ドと前記第2の半導体チップの一方の可変容量ダイオ-ドのアノ-ドを共通に外部に導出する第2のアノ-ドリ-ドと、前記第2の半導体チップの他方の可変容量ダイオ-ドのアノ-ドを外部に導出する第3のアノ-ドリードとを具備し、前記第1と第2の半導体チップを含み主要部を1つのパッケ-ジに封止したことを特徴とする可変容量素子。

IPC (4)：

H03J 1/00 ,  H01L 29/93 ,  H04B 1/16 ,  H04B 1/18