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J-GLOBAL ID:200903095548873300
フッ素含有ポリオルガノシルセスキオキサンとその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
志賀 正武 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992035425
Publication number (International publication number):1993230215
Application date: Feb. 21, 1992
Publication date: Sep. 07, 1993
Summary:
【要約】【目的】 強靱さ、硬度、耐熱性が高く、かつ耐汚染性、離型性を向上させた高分子量のフッ素含有ポリオルガノシルセスキオキサンとその製造方法を得る。【構成】 下記一般式(1)において、全側鎖R1の50〜99モル%がメチル基であり、1〜20モル%が下記一般式(2)で示されるフルオロアルキル基であり、残部が炭素原子数2ないし3個のアルキル基、あるいは置換または非置換フェニル基であり、R2が炭素原子数1ないし3個のアルキル基または水素原子であり、mが整数であり、数平均分子量が10000以上である。【化1】【化2】(但し、一般式(2)において、R3は炭素数1ないし12個の非置換または置換二価炭化水素基、nは0〜10の整数である。)
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で示されるポリオルガノシルセスオキサンにおいて、全側鎖R1の50〜99モル%がメチル基であり、1〜20モル%が下記一般式(2)で示されるフルオロアルキル基であり、残部が炭素原子数2ないし3個のアルキル基、あるいは置換または非置換フェニル基であり、R2が炭素原子数1ないし3個のアルキル基または水素原子であり、mが整数であり、数平均分子量が10000以上であることを特徴とするフッ素含有ポリオルガノシルセスキオキサン。【化1】【化2】(但し、一般式(2)において、R3は炭素数1ないし12個の非置換または置換二価炭化水素基、nは0〜10の整数である。)
IPC (2):
C08G 77/24 NUH
, C01B 33/00
Patent cited by the Patent:
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