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J-GLOBAL ID：200903095549999820

強磁性トンネル接合素子及びその製造方法

Inventor： 佐藤 雅重 ,  菊地 英幸 ,  小林 和雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000270945
Publication number (International publication number)：2002084016
Application date： Sep. 07, 2000
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】 強磁性トンネル接合素子及びその製造方法に関し、強磁性トンネル接合に於ける絶縁層の平坦性を向上させる旨の簡単な手段を採ることに依って、抵抗変化率が大きく、且つ、トンネル抵抗値が低い強磁性トンネル接合素子を実現しようとする。【解決手段】 強磁性層/絶縁層/強磁性層からなる積層構造をもつ強磁性トンネル接合素子に於いて、絶縁層に於ける表面粗さRaが1.0〔nm〕以下となるようにする。

Claim (excerpt)：

強磁性層/絶縁層/強磁性層からなる積層構造をもつ強磁性トンネル接合素子に於いて、絶縁層に於ける表面粗さRaが1.0〔nm〕以下であることを特徴とする強磁性トンネル接合素子。

IPC (6)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12

FI (6)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

F-Term (12)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD54 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049GC01