Pat
J-GLOBAL ID：200903095555765084
3-5族化合物半導体の製造方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997073715
Publication number (International publication number)：1998270365
Application date： Mar. 26, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：
【要約】【課題】3次元成長が抑制された3-5族化合物半導体の選択成長法を実現することにより、良好な微細な構造を有する3-5族化合物半導体の制御性に優れた製造方法を提供する。【解決手段】有機金属気相成長法により、一般式GaxAlyN(式中、0≦x≦1、0≦y≦1、x+y=1)で表される3-5族化合物半導体層からなる層を、結晶表面をマスクでパターニングした一般式GauAlvN(式中、0≦u≦1、0≦v≦1、u+v=1)で表される3-5族化合物半導体層上に成長させる3-5族化合物半導体の成長方法において、キャリアガスとして不活性ガスを用いる3-5族化合物半導体の製造方法。
Claim (excerpt)：
有機金属気相成長法により、一般式GaxAlyN(式中、0≦x≦1、0≦y≦1、x+y=1)で表される3-5族化合物半導体層からなる層を、結晶表面をマスクでパターニングした一般式GauAlvN(式中、0≦u≦1、0≦v≦1、u+v=1)で表される3-5族化合物半導体層上に成長させる3-5族化合物半導体の成長方法において、キャリアガスとして不活性ガスを用いることを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
Return to Previous Page
