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J-GLOBAL ID：200903095557460884

プラズマモニタ方法、プラズマ処理方法、半導体装置の製造方法、およびプラズマ処理装置

Inventor： 辰巳 哲也
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003275124
Publication number (International publication number)：2005039079
Application date： Jul. 16, 2003
Publication date： Feb. 10, 2005
Summary：

【課題】簡便な方法でかつ精度良く特定の原子ラジカル量をモニターすることが可能なプラズマモニタ方法を提供する。【解決手段】分子性原料ガスと希ガスとを処理雰囲気内に導入して行われるプラズマ処理の際に、前記分子性原料ガスの解離によって生じた原子ラジカル量を検知するプラズマモニタ方法であり、処理雰囲気内における前記分子性原料ガスの分圧と、前記希ガスの発光強度と、前記処理雰囲気内における当該希ガスの分圧とから求めた当該分子性原料ガスの解離度Eから、原子ラジカル量を予測することを特徴としている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

分子性原料ガスと希ガスとを処理雰囲気内に導入して行われるプラズマ処理の際に、前記分子性原料ガスの解離によって生じた原子ラジカル量を検知するプラズマモニタ方法であって、 前記処理雰囲気内における前記分子性原料ガスの分圧と、前記希ガスの発光強度と、前記処理雰囲気内における当該希ガスの分圧とから当該分子性原料ガスの解離度を求め、この解離度から前記原子ラジカル量を予測する ことを特徴とするプラズマモニタ方法。

IPC (1)：

H01L21/3065

FI (1)：

H01L21/302 103

F-Term (12)：

5F004AA16 ,  5F004BD01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA08 ,  5F004CB02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26