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J-GLOBAL ID：200903095558832351

単層カーボンナノチューブの製造方法

Inventor： 飯島 澄男 ,  湯田坂 雅子 ,  本郷 廣生
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団 ,  日本電気株式会社
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002097768
Publication number (International publication number)：2003292313
Application date： Mar. 29, 2002
Publication date： Oct. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】 単層カーボンナノチューブの製造方法に関するものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、触媒担体としての多孔質材料や触媒微粒子を必要とせずに、直径を制御して単層カーボンナノチューブを製造することができる単層カーボンナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】 グラファイトの生成において触媒作用を有する金属系触媒と、その金属系触媒の結晶粒度および結晶方位とに対応関係を有する単結晶基板との組み合わせを用い、この単結晶基板に金属系触媒を分散させ、500°C以上の温度範囲で炭素原料を供給することで、直径が制御された単層カーボンナノチューブを気相熱分解成長させて製造する。

Claim (excerpt)：

グラファイトの生成において触媒作用を有する金属系触媒と、その金属系触媒の結晶粒度および結晶方位とに対応関係を有する単結晶基板との組み合わせを用い、この単結晶基板に金属系触媒を分散させ、500°C以上の温度範囲で炭素原料を供給することで、単層カーボンナノチューブを気相熱分解成長させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造方法。

F-Term (12)：

4G146AA12 ,  4G146AB07 ,  4G146BA12 ,  4G146BB05 ,  4G146BB15 ,  4G146BC03 ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146CB17