Pat
J-GLOBAL ID:200903095566004840

イオン性物質の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 安富 康男 ,  玉井 敬憲
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003013959
Publication number (International publication number):2004227909
Application date: Jan. 22, 2003
Publication date: Aug. 12, 2004
Summary:
【課題】生成物が着色することや不純物が混入することを抑制して耐酸化性を向上し、また、イオン伝導性が優れたものとなるように粘度が低減されるようにして、電気化学デバイスを形成するイオン伝導体を構成する材料として好適なイオン性物質を製造する方法を提供する。【解決手段】下記一般式(1);【化1】(式中、Xは、B、C、N、O、Al、Si、P、S、As及びSeから選ばれる少なくとも1種の元素を表す。M1及びM2は、それぞれ同一若しくは異なって、有機連結基を表す。Qは、有機基を表す。aは、1以上の整数であり、b、c、d及びeは、0以上の整数である。)で表されるアニオンを有する化合物からイオン性物質を製造する方法であって、該イオン性物質の製造方法は、一般式(1)で表されるアニオンを有する化合物として100°C未満で処理されたものを用いてなるイオン性物質の製造方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
下記一般式(1);
IPC (4):
H01B13/00 ,  H01G9/035 ,  H01G9/038 ,  H01M10/40
FI (4):
H01B13/00 Z ,  H01M10/40 A ,  H01G9/02 311 ,  H01G9/00 301D
F-Term (20):
5G301CA12 ,  5G301CA19 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H026AA04 ,  5H029AJ06 ,  5H029AJ14 ,  5H029AK02 ,  5H029AK03 ,  5H029AK05 ,  5H029AL03 ,  5H029AL04 ,  5H029AL06 ,  5H029AL12 ,  5H029AL16 ,  5H029AM09 ,  5H029CJ02 ,  5H029HJ01 ,  5H032CC16 ,  5H032EE20

Return to Previous Page