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J-GLOBAL ID：200903095569323327

半導体レーザ

Inventor： 木戸口 勲 ,  森 義弘 ,  大仲 清司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991265881
Publication number (International publication number)：1993110188
Application date： Oct. 15, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 可視光領域に発振波長を有する半導体レーザに関するものである。半導体レーザの端面に特定の膜厚で、かつ特定の屈折率差を有する材料で端面反射膜を形成することで、光出力の減少量を小さい半導体レーザを歩留まり良く作製する。【構成】 (AlxGa1-x)0.5In0.5P系半導体レーザの両端面に、117.2nmのSiO2膜1及び919nmのSiN膜2を堆積する。2つの膜の膜厚は半導体レーザの発振波長をλ、屈折率をnとすると、λ/(4n)の膜厚に相当する。この端面反射膜の反射率は48%である。

Claim (excerpt)：

半導体レーザの発光端面の少なくとも一方をレーザ光に対する反射率が40%から60%の間である端面反射膜で被覆することを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-051581
  
• 特開平3-145175
  
• 特開平2-144980