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J-GLOBAL ID：200903095573400140

半導体レーザ

Inventor： 佐々木 善浩
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993274139
Publication number (International publication number)：1995131108
Application date： Nov. 02, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザにおいて、レーザ特性を損なうことなく放射角を制御して光ファイバへの結合を向上させる。【構成】 出射端面より30μm離れたところからはレーザ発振領域であり、活性層厚は0.12μm、活性層組成は1.3μmになっており、端面側10μmのところはモード変換領域として活性層厚が0.08μmと薄くなって、活性層組成が1.28μmと短波長化している。

Claim (excerpt)：

選択成長によって活性層および導波路層が形成される半導体レーザにおいて、端面付近において導波路層厚が薄くされるか、または導波路層幅が狭くされ、かつ導波路層組成が短波長化されていることを特徴とする半導体レーザ。