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J-GLOBAL ID：200903095587105493

電荷移動錯体

Inventor： 青木 伸也
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992228460
Publication number (International publication number)：1994077462
Application date： Aug. 27, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 温度NI転移を示し、中性基底状態とイオン性励起状態とのエネルギー差が小さく、各種の有機薄膜素子に容易に応用可能な新規な電荷移動錯体を提供する。【構成】 4,4 ́-ジメチルテトラチアフルバレンとクロラニルとからなり、300Kと20Kとの間で中性-イオン性転移を起こす。

Claim (excerpt)：

4,4 ́-ジメチルテトラチアフルバレンとクロラニルとからなる電荷移動錯体。