Pat

J-GLOBAL ID：200903095598844620

半導体装置

Inventor： 吉田 雅弘
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996042204
Publication number (International publication number)：1997213691
Application date： Feb. 06, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 加熱処理後の各種の工程において、半導体ウェハの割れが発生する可能性を低減させる。【解決手段】 半導体ウェハ21の素子形成面21a側の保護膜22は、熱膨脹型のポリイミド樹脂を塗布することにより形成されている。この保護膜22は、加熱処理(ベーク)が施されると面方向(横方向)に膨脹する。そのため半導体ウェハ21は一旦素子形成面21aを上にして凸状に反り返る。こののち半導体ウェハ21の裏面21bには研削処理が施される。そのため半導体ウェハ21は裏面21bを上にして凸状に反り返る。従って、加熱処理工程において生じた反りは裏面研削処理によって生じた反りにより打ち消され、最終的には反りのない半導体ウェハ21が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体材料によって形成された半導体基板と、前記半導体基板の素子形成面側に形成されると共に前記半導体基板の反りを防止する機能を有する膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 331 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/312 B ,  H01L 21/304 321 B ,  H01L 21/304 331 ,  H01L 21/90 S