有機薄膜トランジスタを有する半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：小川勝男 , 田中恭助 , 佐々木孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005085288
Publication number (International publication number)：2006269709
Application date： Mar. 24, 2005
Publication date： Oct. 05, 2006
Summary：

【課題】印刷法では位置ずれが生じるため、絶縁膜を介して下部電極と上部電極が良く位置合せされた電極基板を形成できなかった。位置合わせのためにフォトマスクを使用すると、飛躍的にコストが向上した。【解決手段】本発明は、下部電極をフォトマスクに利用して、上部電極との位置あわせを行うため、印刷法を用いても位置ずれが発生しない。このため、有機半導体を用いたフレキシブル基板などの半導体装置が印刷法を用いて安価に形成できる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

透光性材料基板上に、有機半導体で構成されたチャネル部と、前記チャネル部に接した透光性絶縁膜と、前記絶縁膜に接した不透光性のゲート電極と、前記チャネル部で離間された1対のソース及びドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、フォトレジスト層に対して前記ゲート電極をマスク領域とした、前記基板裏面からの露光によるフォトリソグラフィにより、前記1対のソース及びドレイン両電極のゲート電極側の端部が設定されることを特徴とする有機半導体膜を有する半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05

FI (4)：

H01L29/78 616N , H01L29/78 618B , H01L29/78 627C , H01L29/28

F-Term (30)：

5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE24 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN04 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN36 , 5F110QQ01 , 5F110QQ06 , 5F110QQ12 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

有機薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに有機薄膜トランジスタを有する半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-284511 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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