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J-GLOBAL ID：200903095619723666

光電変換材料用半導体、その製造方法及び太陽電池

Inventor： 井上 祐子 ,  小幡 孝嗣 ,  韓 礼元
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997263949
Publication number (International publication number)：1999102734
Application date： Sep. 29, 1997
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】 優れた光電変換効率を有する光電変換材料用半導体を容易かつ安価に提供することを目的とする。【解決手段】 色素を溶解した1種又は2種以上の非プロトン性溶液、疎水性溶液、非プロトン性かつ疎水性溶液に半導体を浸漬して、半導体上に色素を吸着させる光電変換材料用半導体の製造方法。

Claim (excerpt)：

光増感剤として機能する色素を溶解した1種又は2種以上の非プロトン性溶液に半導体を浸漬して、半導体上に色素を吸着させることを特徴とする光電変換材料用半導体の製造方法。

IPC (4)：

H01M 14/00 ,  H01G 9/20 ,  H01G 9/00 ,  H01L 31/04

FI (3)：

H01M 14/00 P ,  H01G 9/20 ,  H01L 31/04 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 表面改質された酸化チタン膜およびその製造方法ならびにそれを用いた光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-201775   Applicant：石原産業株式会社
• 多孔質電極及びそれを用いた太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-042747   Applicant：工業技術院長
• 光充電式薄型電源素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-057124   Applicant：信越化学工業株式会社