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J-GLOBAL ID：200903095642176877

チップ型半導体及びその製造方法

Inventor：
三浦 剛

About 三浦 剛


Applicant, Patent owner：
株式会社シチズン電子

About 株式会社シチズン電子


Agent (1)： 浅川 哲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996193441
Publication number (International publication number)：1998041550
Application date： Jul. 23, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】 チップ型半導体をプリント基板上に実装する際のリフロー等による高温加熱時において、封止用樹脂の膨張力が原因で半導体素子が絶縁基板の電極部から剥離するという問題を解決する。【解決手段】 絶縁基板23と、その上面に形成された電極部29aにダイボンドされたフォトトランジスタ素子27と、フォトトランジスタ素子27および電極部29aにワイヤボンディングされた金属細線30を封止する透光性樹脂32と、透光性樹脂32の周囲に配置されたモールド枠33とで構成されてなるチップ型半導体において、上記透光性樹脂32とモールド枠33との間に空隙部35を設けたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
絶縁基板と、その上面に形成された電極部にダイボンドされた半導体素子と、半導体素子および半導体素子にワイヤボンディングされた金属細線を封止する封止用樹脂と、封止用樹脂の周囲に配置されたモールド枠とで構成されてなるチップ型半導体において、上記封止用樹脂とモールド枠との間に空隙部を設けたことを特徴とするチップ型半導体。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/28 ,  H01L 31/02
FI (5)：
H01L 33/00 N ,  H01L 21/52 A ,  H01L 23/28 C ,  H01L 23/28 D ,  H01L 31/02 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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