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J-GLOBAL ID：200903095660059667
半導体圧力センサ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993046262
Publication number (International publication number)：1994258164
Application date： Mar. 08, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：
【要約】【目的】センサ基板にダイアフラムの形成と同時に円環状の支持部を設け、温度,静圧特性に優れた、安価で信頼性の高い半導体圧力センサを形成すること。【構成】ダイアフラムの形成と同時に円環状の支持部を設けたセンサ基板を、貫通孔を有した支持部材に陽極接合する。【効果】センサ基板にダイアフラムのエッチングと同時に形成できる円環状の支持部を設けることで、センサの温度,静圧影響を小さくできる。陽極接合によるので、接合面の信頼性が高くなる。
Claim (excerpt)：
差圧や圧力を検出する感歪ゲージ素子をダイアフラム薄肉部に形成した四角形のセンサ基板と、貫通孔を有し、前記センサ基板を支持する支持部材とから成る半導体圧力センサにおいて、前記センサ基板にダイアフラムのエッチングと同時に形成され、前記支持部材との接合面に接合される円環状の支持部を設けたことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (3)：
G01L 9/04 101
, G01L 19/04
, H01L 29/84
