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J-GLOBAL ID：200903095666058549

半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法、並びに微細パターン形成用コーティング組成物の製造方法及び半導体素子の製造方法

Inventor：
畑 光宏

About 畑 光宏

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夏 政煥

About 夏 政煥

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金 賢友

About 金 賢友

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禹 相均

About 禹 相均


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005110169
Publication number (International publication number)：2005301270
Application date： Apr. 06, 2005
Publication date： Oct. 27, 2005
Summary：
【課題】半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法、並びに微細パターン形成用コーティング組成物の製造方法及び半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上にレジストパターンを形成した後、陽子供与体ポリマー及び陽子受容体ポリマーを含むコーティング組成物を前記レジストパターンの表面に接触させた状態で加熱してインターポリマーコンプレックス層を形成する。コーティング組成物は、酸及び塩基のうち何れか一つ、またはこれらを両者を含みうる。シリコンアルコキシドモノマー、シリコンアルコキシドオリゴマー、またはこれらの部分加水分解物などのシリコン含有物質を含むコーティング組成物を使ってBLRの上部レジストパターンにインターポリマーコンプレックス層を形成すれば、増加したシリコン含量によって乾式エッチングに対して増加した耐性を有し、微細パターンを形成しうる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成されたレジストパターンと、 前記レジストパターンの表面に形成されており、陽子供与体ポリマー及び陽子受容体ポリマーが水素結合によってネットワークを形成しているインターポリマーコンプレックス膜と、を含むことを特徴とする半導体素子製造用のマスクパターン。
IPC (2)：
G03F7/40 ,  H01L21/027
FI (3)：
G03F7/40 521 ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/30 502R
F-Term (6)：
2H096AA25 ,  2H096HA02 ,  2H096HA05 ,  5F046LA18 ,  5F046NA01 ,  5F046NA12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (22)
  • 特開第1989-307228号公報
  • 特開第2001-066782号公報
  • 特開第2001-228616号公報
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Cited by examiner (2)

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