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J-GLOBAL ID：200903095667823079

荷電粒子線投影露光方法

Inventor： 河田 真太郎
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 永井 冬紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997237364
Publication number (International publication number)：1999087209
Application date： Sep. 02, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 スループットを低下させることなく高密度回路パターンを投影露光する。【解決手段】マスク5上のパターンの密度がマスク強度上許容できる値となるように、矩形パターンB1とB2からなる基板パターンの高密度な繰り返しパターンのなかから、矩形パターンB1による低密度な繰り返しパターンを抽出する。その低密度な繰り返しパターンと等価の密度でマスク5上に矩形パターン510Mにより繰り返しパターンを形成する。ウエハ11の同一露光領域210に対して、マスク5の繰り返しパターン510Mの投影位置をずらして重ね露光する。これにより、1枚のマスク5で高密度な基板パターンを形成することができる。

Claim (excerpt)：

マスク上のパターンを所定の縮小率で感応基板上に投影露光する方法であって、前記感応基板上に形成すべき基板パターンの密度と等価の密度でマスク上にパターンを形成することがマスク強度上許容できないほどに前記基板パターンが高密度である場合の荷電粒子線投影露光方法において、前記マスク上のパターンの密度がマスク強度上許容できる値となるように、前記基板パターンの高密度な繰り返しパターンのなかから低密度な繰り返しパターンを抽出して、その低密度な繰り返しパターンと等価の密度で前記マスク上に繰り返しパターンを形成し、前記感応基板の同一露光領域に対して、前記マスクの繰り返しパターンの投影位置をずらして重ね露光することにより高密度な基板パターンを形成することを特徴とする荷電粒子線投影露光方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521

FI (5)：

H01L 21/30 541 J ,  G03F 1/16 B ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 541 S