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J-GLOBAL ID：200903095672734548

有磁場誘導結合プラズマ処理装置

Inventor： 鈴木 伸昌
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993296832
Publication number (International publication number)：1995153595
Application date： Nov. 26, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 大面積基板の成膜やエッチングのスループットが向上したプラズマ処理装置を提供する。【構成】 スルー搬送機構を持ち、搬送方向に垂直で基板処理面に平行な中心軸をもつ複数の高周波導入手段と、高周波導入手段の中心軸と平行な磁場を発生させる手段とを真空容器に取り付けたプラズマ処理装置。

Claim (excerpt)：

真空容器、誘導結合により前記真空容器に高周波を導入する手段と、前記真空容器に磁場を発生させる手段と前記真空容器内に被処理基体を移送する手段を備えた有磁場結合プラズマ処理装置において、前記高周波導入手段と前記磁場発生手段がそれぞれ複数個配されていることを特徴とする有磁場誘導結合プラズマ処理装置。

IPC (5)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 C