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J-GLOBAL ID：200903095676960372

誘電体キャパシタ及び誘電体メモリ装置と、これらの製造方法

Inventor： 沼田 乾 ,  青木 克裕 ,  福田 幸夫 ,  西村 明俊
Applicant, Patent owner： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
Agent (1)： 佐々木 聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996122672
Publication number (International publication number)：1997289291
Application date： Apr. 19, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 キャパシタの作製時の工程数を減らすと共に、電極面積の増大による蓄積容量の向上、リーク電流の抑制を実現できる誘電体キャパシタ及び誘電体メモリ装置と、これらの製造方法を提供すること。【解決手段】 白金電極29の周囲に接して設けられた酸化チタン膜21を介してこの上に、PZT強誘電体膜20と白金電極23とがほぼ同一パターンに積層されている強誘電体キャパシタ。この強誘電体キャパシタを製造する方法として、電極29の表面及び酸化チタン膜21の表面に強誘電体膜材料層20と電極材料層23Aとをこの順に積層し、これらの電極材料層と強誘電体材料層とをほぼ同一パターンに加工して電極23とPZT強誘電体膜20とを形成する。

Claim (excerpt)：

第1の電極と、この第1の電極上の誘電体膜と、この誘電体膜上の第2の電極とを有し、前記第1の電極の周囲に接して設けられた絶縁膜を介してこの上に、前記誘電体膜と前記第2の電極とがほぼ同一パターンに積層されている誘電体キャパシタ。

IPC (7)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/24 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/24 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371