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J-GLOBAL ID：200903095687358771

メモリバックアップ制御装置およびメモリバックアップ制御方法

Inventor： 菊池 明年
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 小林 将高
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997310191
Publication number (International publication number)：1999144455
Application date： Nov. 12, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 バックアップ電源供給時間を可変設定することである。【解決手段】 二次電池8からのバックアップ電源供給時間を操作部2より設定する構成を特徴とする。

Claim (excerpt)：

データを保持する揮発性メモリに対して、主電源または充放電可能な二次電池からのバックアップ電源供給を制御するメモリバックアップ制御装置であって、前記二次電池からのバックアップ電源供給時間を可変設定する設定手段を有することを特徴とするメモリバックアップ制御装置。

IPC (2)：

G11C 11/401 ,  G06F 12/16 340

FI (2)：

G11C 11/34 371 G ,  G06F 12/16 340 F