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J-GLOBAL ID：200903095697131384

半導体モジュール

Inventor： 諏訪 元大 ,  高橋 裕之 ,  鎌田 千代士
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994013869
Publication number (International publication number)：1995221262
Application date： Feb. 07, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 配線基板上に実装された複数の半導体チップ間を接続する配線の長さを極限まで短くする。【構成】 配線基板3の主面上に半田バンプ8を介して第1の半導体チップ1をフェイスダウンボンディングし、高さ方向に重ね合わせた複数個の金バンプ9を介して第1の半導体チップ1よりも外形寸法の大きい第2の半導体チップ2を第1の半導体チップと重なるようにフェイスダウンボンディングした半導体モジュールである。

Claim (excerpt)：

配線基板の主面上に第1のバンプ電極を介して第1の半導体チップをフェイスダウンボンディングし、前記第1のバンプ電極よりも高さの大きい第2のバンプ電極を介して前記第1の半導体チップよりも外形寸法の大きい第2の半導体チップを前記第1の半導体チップと重なるようにフェイスダウンボンディングしたことを特徴とする半導体モジュール。

IPC (4)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/52

FI (2)：

H01L 25/08 Z ,  H01L 23/52 C