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J-GLOBAL ID：200903095700685078

シリコン酸化膜の製造方法

Inventor： 原田 勝可 ,  服部 覚
Applicant, Patent owner： 東亞合成化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992331030
Publication number (International publication number)：1994168937
Application date： Nov. 17, 1992
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置分野等に広く応用されているシリコン酸化膜を効率的に製造する。【構成】 シリコン酸化膜をプラズマ化学気相堆積法により製造するに際し、アルコキシシランを原料ガとして用い、希釈ガスの存在下にかつ圧力100mmHg〜2気圧において、該膜を形成させる。【効果】 シリコン酸化膜を、低温において大きい成膜速度で得る事が出来、膜質は均一でステップカバレッジが良好で、平坦性に優れ、大気圧の設備で大面積に処理することが出来る。

Claim (excerpt)：

シリコン酸化膜をプラズマ化学気相堆積法により製造するに際し、アルコキシシランを原料ガスとして用い、希釈ガスの存在下にかつ圧力100mmHg〜2気圧において、該膜を形成させることを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法。