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J-GLOBAL ID：200903095700794870

半導体記憶装置

Inventor： 原 高弘
Applicant, Patent owner： 九州日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993108648
Publication number (International publication number)：1994325589
Application date： May. 11, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】レーザー切断用ヒューズとレーザーとの目合に余裕をもたせ、溶断用ヒューズを用いることでチップ面積を小さくする。【構成】レーザー切断用ヒューズH1〜Hn+1をスクライブ線上に配置することで、ヒューズの間隔を十分とることができ、チップ内に溶断用ヒューズHY1〜HYn+1を配置することで、ヒューズピッチを詰めることができる。スクライブ線のヒューズをカットすることで溶断用ヒューズのデータを作り、スクライブ線に設けたパッドより電圧を印加することで溶断用ヒューズを容易にトリミングできる。

Claim (excerpt)：

冗長メモリセルを有し、この冗長メモリセルの選択をヒューズ切断にて行う半導体記憶装置において、レーザー切断にてトリミングを行うヒューズをスクライブ線に配置し、このスクライブ線のトリミングされたヒューズによってプログラムされたデータに基づき、チップ内の溶断用ヒューズを電気的に溶断する溶断用ヒューズを備えることを特徴とする半導体記憶装置。