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J-GLOBAL ID：200903095708885270
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993154050
Publication number (International publication number)：1995135220
Application date： Jun. 25, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】高出力型GaAs電界効果トランジスタのドレイン破壊耐圧を劣化させることなく出力特性を向上させる。【構成】ゲート電極4を形成した動作層2と同一平面の動作層2の上にソース電極7を形成し、動作層2の表面に設けた溝6内にドレイン電極8を形成することにより、ドレイン破壊耐圧を劣化させずにソース側のチャネル狭窄による出力特性低下を防止する。
Claim (excerpt)：
半絶縁性GaAs基板上に形成した動作層と、前記動作層上に形成したゲート電極と、前記ゲート電極を設けた動作層と同一平面の前記動作層上に形成したソース電極と、前記動作層に設けた溝内に形成したドレイン電極とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
