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J-GLOBAL ID:200903095716967200
脆質部材の処理方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
前田 均
, 鈴木 亨
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007152857
Publication number (International publication number):2008306049
Application date: Jun. 08, 2007
Publication date: Dec. 18, 2008
Summary:
【課題】半導体ウエハなどの脆質部材の搬送や裏面研削等の加工を施す際に、脆質部材を安定して保持でき、しかも所要の処理が終了した後には、脆質部材を破損することなく剥離することができ、厚み精度の高い脆質部材の処理方法を提供する。【解決手段】脆質部材3の処理方法は、可撓性ガラス基板上1に、脆質部材3を再剥離可能に固定する工程、脆質部材3に処理を行う工程、脆質部材側を支持手段11により固定する工程、および可撓性ガラス基板1を湾曲させて脆質部材3から剥離する工程を含むことを特徴としている。【選択図】図3
Claim (excerpt):
可撓性ガラス基板上に、脆質部材を再剥離可能に固定する工程、
前記脆質部材に処理を行う工程、
前記脆質部材側を支持手段により固定する工程、および
前記可撓性ガラス基板を湾曲させて脆質部材から剥離する工程を含む脆質部材の処理方法。
IPC (2):
H01L 21/683
, H01L 21/304
FI (3):
H01L21/68 N
, H01L21/304 631
, H01L21/304 622J
F-Term (11):
5F031CA02
, 5F031DA11
, 5F031DA15
, 5F031EA01
, 5F031HA78
, 5F031HA80
, 5F031MA37
, 5F031MA38
, 5F031PA11
, 5F031PA13
, 5F031PA20
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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ICチップの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-024219
Applicant:積水化学工業株式会社
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半導体ウエハの剥離方法およびこれを用いた剥離装置
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Application number:特願2003-347059
Applicant:日東電工株式会社
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半導体ウエハの処理方法およびそのための半導体ウエハの転写装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-128658
Applicant:リンテック株式会社
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補強半導体ウエハに固定された補強板の分離方法およびその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-087175
Applicant:日東電工株式会社
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半導体チップの製造方法
Gazette classification:再公表公報
Application number:JP2002011941
Applicant:株式会社ディスコ
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脆質部材からの表面保護テープの剥離方法
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Application number:特願2002-218518
Applicant:リンテック株式会社
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支持プレート
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-332390
Applicant:積水化学工業株式会社
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Cited by examiner (8)
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ウエハ支持部材及びウエハの加工方法
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Application number:特願2004-049494
Applicant:日立化成工業株式会社
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半導体ウエハの処理方法
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Application number:特願2005-029223
Applicant:シャープ株式会社
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シート剥離装置
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Application number:特願2005-134321
Applicant:日東電工株式会社, 日東精機株式会社
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半導体ウエハの処理方法およびそのための半導体ウエハの転写装置
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Application number:特願2002-128658
Applicant:リンテック株式会社
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特開昭56-041859
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脆質部材の転着装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-237332
Applicant:リンテック株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-231473
Applicant:株式会社ルネサステクノロジ
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薄膜単結晶デバイスの製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-200531
Applicant:キヤノン株式会社
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