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J-GLOBAL ID：200903095719982030

CVD装置

Inventor： 渡辺 一典 ,  臼井 建人 ,  三瀬 信行 ,  前島 央 ,  加藤 久幸 ,  加藤 登季男 ,  米山 貞夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991222690
Publication number (International publication number)：1994020961
Application date： Sep. 03, 1991
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】減圧CVD装置において、原料ガスの前処理を行うことにより、多数枚の基板の成膜速度と組成の制御を可能とし、ウエハ間の膜厚及び膜質均一性を得る。【構成】ボンベ1、2より供給された原料ガスは、流量制御器3、4、5により流量一定に保たれ、混合管23において混合、加熱され反応炉9に導入される。このとき、ノズル25により混合管23及びノズル25内の圧力が制御される。一方、ボンベ2のガスは、加熱されずに配管8により反応管9に供給される。これらのガスは反応管9内に置かれたウエハ上で薄膜を形成する。【効果】CVD装置において、反応速度の異なる多種類の原料ガスの滞留時間、温度、圧力、流速を別々に制御することにより薄膜の組成制御ができ、ウエハ間のド-プ量を均一にすることができる。さらに、従来のCVD装置を改善することなく容易に装置を取り付けることができるため、従来装置への適用が簡単である。

Claim (excerpt)：

基板に薄膜を形成する反応手段と、前記反応手段に反応性ガスを供給するガス供給手段と、前記反応性ガスの一部を予備加熱する予備加熱手段とを備えたCVD装置において、前記ガス供給手段は2つの供給手段で構成され、その一方は前記予備加熱手段の上流側に反応性ガスを供給する手段であり、他方は前記予備加熱手段の途中に反応性ガスを供給する手段であることを特徴とするCVD装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/52

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭63-156316