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J-GLOBAL ID：200903095723073975

相変化型不揮発性記憶装置及びその駆動回路

Inventor： 市原 勝太郎 ,  與田 博明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 松山 允之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001296102
Publication number (International publication number)：2003100085
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 相変化材料を記憶セルとして用いる相変化型不揮発性記憶装置(Ovonic-memory)の原理的問題点を解決し、記憶装置として確実且つ容易に動作する相変化型不揮発性記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】 記憶セルに情報を記録する前に、記憶セルの記録状態を読みとり、遷移に最適な書き込みパルスを選択して印加する。この際に、遷移が不要な場合には、書き込みパルスを印加しなくてもよい。あるいは、非晶質状態に遷移させるか結晶状態に遷移させるかに応じて、パルスの立ち下がり部の波形を調節し、結晶化保持時間を制御する。

Claim (excerpt)：

結晶状態と非晶質状態との間で相変化可能な相変化材料を含む記憶セルを有し、前記記憶セルの前記相変化材料の少なくとも一部分を前記結晶状態と前記非晶質状態との間で相変化させ、前記結晶状態に対応づけた第1の記録状態または前記非晶質状態に対応づけた第2の記録状態として情報の記録を可能とした相変化型不揮発性記憶装置を駆動する駆動回路であって、前記記憶セルに情報を記録する前に、前記記憶セルの記録状態を読みとることを特徴とする駆動回路。