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J-GLOBAL ID：200903095725667562

配向ポリシラン電荷輸送薄膜及びそれを用いた電子デバイス

Inventor： 斎藤 俊郎 ,  磯貝 正人
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 平木 祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995271461
Publication number (International publication number)：1997114114
Application date： Oct. 19, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 移動度の高い電荷輸送薄膜を製造する。【解決手段】 基板上に、主鎖が珪素から構成されているポリシランの膜を形成した電荷輸送膜。ポリシランは蒸着法で形成され、その主鎖は膜厚方向に配向している。導電性支持体21上に、下引き層22、電荷発生層23、前記ポリシラン電荷輸送層24を積層すると応答速度の速い電子写真感光体が得られる。

Claim (excerpt)：

基板上に、主鎖が珪素から構成されている下式で表されるポリシランの膜を形成した電荷輸送膜において、その主鎖が膜厚方向に配向していることを特徴とする電荷輸送薄膜。【化1】(R1,R2はCnH2n+1(nは1以上の整数)で表されるアルキル基、又は置換基を有していてもよいアリル基を表す)

IPC (3)：

G03G 5/07 105 ,  C08G 77/60 NUM ,  C09K 11/06

FI (3)：

G03G 5/07 105 ,  C08G 77/60 NUM ,  C09K 11/06 Z