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J-GLOBAL ID：200903095746934501
レジスト パターン形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995178613
Publication number (International publication number)：1996190203
Application date： Jul. 14, 1995
Publication date： Jul. 23, 1996
Summary：
【要約】【目的】 本発明の目的は、半導体素子製造工程に用いられるレジストパターン形成の際、光のコントラストを向上させて垂直なプロファイルを有するレジストパターンを得ることにある。【構成】 1次レジストパターンを形成し、その上部に2次レジストパターンを形成する方法で垂直なプロファイルを有するレジストパターンを形成する。また、1次レジストを形成し、露光工程で1次レジストに露光領域を形成した後、その上部に2次レジストを形成し露光工程で2次レジストに露光領域を形成した後、現像工程で前記1次レジスト及び2次レジストのパターンを同時に形成する。
Claim (excerpt)：
レジスト パターン形成方法において、基板または下部層上部に1次フォト レジストを肉薄で塗布する段階と、マスクを用いた露光工程と現像工程を実施して1次フォト レジスト パターンを形成する段階と、全面に中間層を形成する段階と、2次フォト レジストを塗布した後、前記1次フォト レジストを露光する際に用いたマスクと同様のマスクを用いた露光工程と現像工程で2次フォト レジスト パターンを形成する段階と、露出した中間層をエッチングし、前記1次フォトジスト パターンと重なる2次フォト レジスト パターンで垂直なプロファイルを有するレジストを形成する段階を含むレジスト パターン形成方法。
IPC (5)：
G03F 7/26 511
, G03F 7/11
, G03F 7/20 521
, G03F 7/40 521
, H01L 21/027
H01L 21/30 573
, H01L 21/30 574
