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J-GLOBAL ID：200903095768032226

半導体装置

Inventor： 舘山 和樹 ,  山田 浩 ,  本間 荘一 ,  栂嵜 隆 ,  斉藤 雅之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995333323
Publication number (International publication number)：1997172110
Application date： Dec. 21, 1995
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子の周囲に配置された樹脂の端部に発生する剪断歪みを低減し、信頼性寿命を向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】 回路配線基板2と、この基板上にバンプ電極3により実装された半導体素子1とを具備し、基板と半導体素子との間隙及び半導体素子の周囲に、無機充填剤を含有する樹脂が封止された半導体装置10である。樹脂は、半導体素子の最外周のバンプ電極3で囲まれている領域に配置された第1の樹脂6と、最外周のバンプ電極で囲まれていない領域に配置された第2の樹脂7とから構成され、第1の樹脂6における無機充填剤の含有量、最大粒径及び平均粒径のうち少なくとも1つは、第2の樹脂7における値より大きい。

Claim (excerpt)：

回路配線基板と、この基板上にバンプ電極により実装された半導体素子とを具備し、前記基板と半導体素子との間隙および半導体素子の周囲に無機充填剤を含有する樹脂が封止された半導体装置であって、前記樹脂は、前記半導体素子の最外周バンプ電極で囲まれている領域に配置された第1の樹脂と、前記最外周バンプ電極で囲まれていない領域に配置された第2の樹脂とから構成され、前記第1の樹脂における無機充填剤の含有量、最大粒径および平均粒径のうち少なくとも1つは、第2の樹脂における値より大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311

FI (3)：

H01L 23/30 B ,  H01L 21/56 E ,  H01L 21/60 311 S