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J-GLOBAL ID：200903095772889115
半導体レーザおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 祐介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993338853
Publication number (International publication number)：1995162099
Application date： Dec. 02, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】 ストライプ形成のためのエッチング深さが正確になっており、そのエッチングによって生じた凹部に埋め込む電流ブロック層の位置関係もまた正確に所望のものとなっている、特性が良好な半導体レーザを得る。【構成】 p-InPバッファ層11、13内の所定の深さの部分に、これらとは屈折率の異なるp-InGaAsPモニター層12を設け、エッチングによって徐々に表面側から削られるとき、モニター層12が部分的に露出しあるいは除去されることとなるので、モニター層12はその上下のバッファ層13、11とは屈折率が異なることに起因して、エッチング面の光学的状態が変化する。そこで、この光学的変化を肉眼で、あるいは光検出器により自動的に捉えて、エッチングをストップさせることにすれば、エッチング深さはちょうどモニター層12に到達した深さに対応することになり、エッチング深さを正確にコントロールできる。
Claim (excerpt)：
1つの導電型の半導体基板と、該基板上に形成された上記と同一の導電型のバッファ層と、該バッファ層内に形成されたバッファ層とは異なる屈折率を有するモニター層と、上記バッファ層上に形成された活性層と、該活性層の上に形成された上記とは反対導電型のクラッド層と、該クラッド層、活性層およびバッファ層において上記モニター層にまで達するよう形成された凹部と、該凹部が形成されることにより残されたストライプ状突部の両脇を埋めるように、該凹部に形成された、上記の導電型の組み合わせとは逆のpn接合面を有する、複数の層からなる電流ブロック層とを有することを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/306 U
, H01L 21/306 Q
