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J-GLOBAL ID：200903095777899160

プラズマCVD装置

Inventor： 平田 匡史
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小杉 佳男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991156670
Publication number (International publication number)：1993009741
Application date： Jun. 27, 1991
Publication date： Jan. 19, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】プラズマCVD装置を用いて、段差のあるウエハに成膜する場合に、段差の側壁部に良質の成膜を得る。【構成】対向電極1,2に高周波電圧3を印加してプラズマ4を発生させ、電界用電極5,6を設けることによって、プラズマ4の移送方向を曲げる。電界用電極5,6は対向電極1,2の周囲を回転する。

Claim (excerpt)：

プラズマ発生用対向電極の対向方向に直交する方向に、プラズマ粒子に運動を与える電界用電極を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。