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J-GLOBAL ID:200903095793976964

半導体装置の製造方法及び半導体装置及び電極ピン形成用マスク及び電極ピン形成用マスクを用いた試験方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊東 忠彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994008848
Publication number (International publication number):1995221104
Application date: Jan. 28, 1994
Publication date: Aug. 18, 1995
Summary:
【要約】【目的】本発明はフリップチップ実装法等に用いて好適な半導体装置の製造方法及び半導体装置及び電極ピン形成用マスク及び電極ピン形成用マスクを用いた試験方法に関し、半導体装置の製造効率及び試験効率の向上を図ると共に製品コストの低減を図ることを目的とする。【構成】半導体チップ1に形成された電極パッド5に対応する位置に電極ピン形成孔4が設けられると共に電極ピン形成孔4の深さが電極ピン形成孔4の径寸法より長くなるよう構成された電極ピン形成用マスク3を半導体チップ1に配設し、この電極ピン形成用マスク3を用いてスクリーン印刷を行うことにより電極ピン形成孔4に導電材ペースト6を導入し、その後に電極ピン形成用マスク3を半導体チップ1から取り除くことにより電極ピン5を形成する。
Claim (excerpt):
半導体チップ(1)に形成された電極パッド(2)に外部接続用の電極ピン(5)を形成する工程を有した半導体装置の製造方法において、該半導体チップ(1)が形成された後、該半導体チップ(1)に形成された電極パッド(2)に対応する位置に電極ピン形成孔(4,22)が設けられると共に、該電極ピン形成孔(4,22)の深さが該電極ピン形成孔(4,22)の径寸法より長くなるよう構成された電極ピン形成用マスク(3,20,30)を該半導体チップ(1)に配設し、該電極ピン形成用マスク(3,20,30)を用いてスクリーン印刷を行うことにより、該電極ピン形成孔(4,22)に導電部材(6)を導入し、その後、該電極ピン形成用マスク(3,20,30)を該半導体チップ(1)から取り除くことにより、該半導体チップ(1)に形成された電極パッド(2)に、径寸法よりも高さが高い電極ピン(5)を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3):
H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/66
FI (4):
H01L 21/92 B ,  H01L 21/92 C ,  H01L 21/92 F ,  H01L 21/92 Z

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