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J-GLOBAL ID：200903095797340010

化学増幅型ネガティブレジスト

Inventor： 五十嵐 美和 ,  矢野 映 ,  渡部 慶二 ,  並木 崇久 ,  野崎 耕司 ,  倉光 庸子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995035036
Publication number (International publication number)：1996234434
Application date： Feb. 23, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 化学増幅型レジストに関し、感度と解像度の向上を目的とする。【構成】 少なくともアルカリ可溶性樹脂と光酸発生剤とからなる化学増幅型ネガレジストにおいて、電離放射線の照射によって酸発生剤から発生する酸により極性が変化する4,4-置換-1- ヒドロキシ-2,5- シクロヘキサジエン化合物を含有してなることを特徴として化学増幅型ネガティブレジストを構成する。

Claim (excerpt)：

少なくともアルカリ可溶性樹脂と光酸発生剤とからなる化学増幅型ネガティブレジストにおいて、下記一般式で表され、電離放射線の照射によって光酸発生剤から発生する酸により極性が変化する4,4-置換-1- ヒドロキシ-2,5- シクロヘキサジエン化合物を含有してなり、電離放射線の照射により該化合物が現像液に不溶となることを特徴とする化学増幅型ネガティブレジスト。【化1】但し、R1 ,R2 は-Cn H2n+1 ,-OCn H2n+1 ,-Cm H2m+1OCn H2n+1 の何れかよりなり、m とn は1〜6の整数である。

IPC (3)：

G03F 7/038 505 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/038 505 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/30 502 R