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J-GLOBAL ID：200903095797632828

磁気抵抗素子及び磁気メモリ

Inventor： 吉川 将寿 ,  北川 英二 ,  岸 達也 ,  與田 博明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007094887
Publication number (International publication number)：2008252037
Application date： Mar. 30, 2007
Publication date： Oct. 16, 2008
Summary：

【課題】磁化反転に必要な書き込み電流をより低減する。【解決手段】磁気抵抗素子10は、磁化の方向が固定された固定層11と、膜面に垂直方向への通電により磁化の方向が変化可能な自由層13と、膜面に垂直方向への通電により磁化の方向が変化可能であり、かつ自由層13の磁化の方向の変化をアシストするアシスト層15と、固定層11と自由層13との間に設けられ、かつ非磁性体からなる中間層12と、自由層13とアシスト層15との間に設けられ、かつ非磁性体からなる中間層14とを具備する。そして、アシスト層15の磁化反転のためのエネルギー障壁は、自由層13の磁化反転のためのエネルギー障壁よりも小さい。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

磁化の方向が固定された固定層と、 膜面に垂直方向への通電により磁化の方向が変化可能な自由層と、 膜面に垂直方向への通電により磁化の方向が変化可能であり、かつ前記自由層の磁化の方向の変化をアシストするアシスト層と、 前記固定層と前記自由層との間に設けられ、かつ非磁性体からなる第1の中間層と、 前記自由層と前記アシスト層との間に設けられ、かつ非磁性体からなる第2の中間層と、 を具備し、 前記アシスト層の磁化反転のためのエネルギー障壁は、前記自由層の磁化反転のためのエネルギー障壁よりも小さいことを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (2)：

H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

F-Term (48)：

4M119AA03 ,  4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD06 ,  4M119DD07 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD22 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF13 ,  4M119FF15 ,  4M119FF16 ,  5F092AA04 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB31 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB38 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB49 ,  5F092BB53 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC34 ,  5F092BC43 ,  5F092BC46 ,  5F092BE06 ,  5F092BE12 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE25 ,  5F092CA02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第6,256,223号明細書