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J-GLOBAL ID：200903095800716191

半導体装置製造用気相反応装置

Inventor： 大場 隆之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991241388
Publication number (International publication number)：1993082451
Application date： Sep. 20, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の薄膜形成や薄膜のエッチングを行う気相反応装置に関し、反応室内の圧力変動を無くすようにし、ガス混合を確実に行って初期段階の成長でも安定した混合比の反応ガスとし、かつ再現性を良くする。【構成】 反応室1と、半導体基板2を担持している支持台3と、反応室の上部に設けられたプロセスガス供給具のシャワー4とを備えてなる半導体装置製造用気相反応装置であって、該プロセスガスシャワー4は気化ないし希釈用上側区画室7と、反応圧力調整ガスの下側区画室9との少なくとも2室からなり、上側区画室7はその内部に仕切り弁V1を有し、該仕切り弁の上方にソース液体(ソースガス)の供給管13と、気化または希釈用ガスの供給管14と、バルブV2付き排気管15とを備え、下側区画室9は反応圧力調整ガスEを供給するバルブV5付きの供給管31を備えるように構成する。

Claim (excerpt)：

排気系を有する反応室と、該反応室内で半導体基板を担持している支持台と、前記反応室の上部に設けられたプロセスガス供給具とを備えてなる半導体装置製造用気相反応装置において、前記供給具が前記半導体基板(2)とほぼ平行配置で前記半導体基板の上方に位置するプロセスガスシャワー(4)であり、該プロセスガスシャワー(4)は気化ないし希釈用上側区画室(7)と、反応圧力調整ガスの下側区画室(9)との少なくとも2室からなり、該上側区画室から該下側区画室の底面まで延びる多数の供給細管(22)と該下側区画室の底面の多数開孔(33)とがシャワーガス噴出口であり、前記上側区画室はその内部に仕切り弁(V1)を有し、該仕切り弁の上方にソース液体またはソースガスの供給管(13)と、気化または希釈用ガスの供給管(14)と、バルブ(V2)付き排気管(15)とを備え、前記下側区画室(9)は反応圧力調整ガス(E)を供給するバルブ(V5)付き供給管(31)を備えていることを特徴とする半導体装置製造用気相反応装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318