Pat
J-GLOBAL ID：200903095801175380
固体撮像装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992013112
Publication number (International publication number)：1993206494
Application date： Jan. 28, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】本発明は、波長数A〜数百AのX線領域に良好な感度を有し、かつ作成プロセスの困難性,動作不安定性を解消しえることを主要な目的とする。【構成】P型のSi基板(21)と、この基板表面でフィ-ルド酸化膜(22)で囲まれた素子領域に形成され,前記基板とフォトダイオ-ドを構成するN+ 型の拡散層(23)と、前記基板上に形成され,内部に前記拡散層(23)と接続する導電膜(25a,25b) を埋め込んでなる層間絶縁膜(24)と、この層間絶縁膜(24)上に形成され,前記導電膜と接続する画素電極(26)と、この画素電極上に形成された光電変換層(28)と、前記光電変換層(28)上に形成され,X線が入射される表面電極(30)とを具備することを特徴とする固体撮像装置。
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体基板と、この基板表面でフィ-ルド酸化膜で囲まれた素子領域に形成され,前記基板とフォトダイオ-ドを構成する第2導電型の半導体層と、前記基板上に形成され,内部に前記半導体層と接続する導電膜を埋め込んでなる層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に形成され,前記導電膜と接続する画素電極と、この画素電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成され,X線が入射される表面電極とを具備することを特徴とする固体撮像装置。
IPC (4)：
H01L 31/09
, G01T 1/15
, H01L 27/14
, H01L 31/10
H01L 31/00 A
, H01L 27/14 K
, H01L 31/10 A
