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J-GLOBAL ID：200903095805934634

薄膜デバイスおよびその製造方法

Inventor： 山内 一志 ,  松下 孟史
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999274062
Publication number (International publication number)：2001102523
Application date： Sep. 28, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】製造工程におけるスループットを向上させることができる薄膜デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】第1のデバイス層20の裏面に裏面支持基板17を接着することにより第1のデバイスユニット2を形成する。第2のデバイス層40の表面に表面支持基板36を接着することにより第2のデバイスユニット4を形成する。第1のデバイスユニット2および第2のデバイスユニット4を、第1のデバイス層20と第2のデバイス層40が互いに対向するように貼り合わせることによって、第1のデバイス層20および第2のデバイス層40を備えた薄膜デバイス1を製造する。第1のデバイス層20および第2のデバイス層40は、第1のデバイスユニット2と第2のデバイスユニット4の製造工程においてそれぞれ個別に形成されるので、複数のデバイス層を順次積層形成する場合のようにデバイス層の形成方法が限定されない。

Claim (excerpt)：

複数のデバイス層を備えた薄膜デバイスの製造方法であって、デバイス層を支持基板により支持してなる複数のデバイスユニットを形成する工程と、前記複数のデバイスユニットを組み合わせて薄膜デバイスを形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/00 301 ,  H01L 27/12 ,  H01L 31/02 ,  H01L 31/12 ,  H01L 33/00

FI (5)：

H01L 27/00 301 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 31/12 C ,  H01L 33/00 N ,  H01L 31/02 A

F-Term (24)：

5F041AA41 ,  5F041DA03 ,  5F041DA09 ,  5F041DA11 ,  5F041DA20 ,  5F088BA18 ,  5F088CB01 ,  5F088CB20 ,  5F088EA06 ,  5F088EA11 ,  5F088EA16 ,  5F088EA20 ,  5F088FA01 ,  5F088GA04 ,  5F088GA09 ,  5F088GA10 ,  5F088JA03 ,  5F089AB03 ,  5F089AC08 ,  5F089AC09 ,  5F089AC10 ,  5F089AC20 ,  5F089CA20 ,  5F089EA10