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J-GLOBAL ID：200903095807022462
アンチヒューズ構造をもつプログラム可能な半導体素子及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995158815
Publication number (International publication number)：1996008346
Application date： Jun. 02, 1995
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 2個の伝導線の連結部位を均一に形成して、抵触抵抗を減少し信頼性を向上させることができるプログラムの可能な半導体素子を提供すること。【構成】 本発明は、シリコン基板と、シリコン基板上に形成された第1絶縁膜と、第1絶縁膜上に形成されたコンタクトホールと、各々一定の幅を有し、互いに分離されて第1絶縁膜上に形成された2個の伝導線と、2個の伝導線を覆うようにコンタクトホールを除いた第1絶縁膜上に形成され、コンタクトホールに接しているエッジ部分に凹面を有する第2絶縁膜と、第2絶縁膜の凹面に形成された伝導性リンクと、伝導性リンクを覆い被せるように基板全面にわたって形成されたキャップ絶縁膜とを含む。
Claim (excerpt)：
シリコン基板と、シリコン基板上に形成された第1絶縁膜と、第1絶縁膜の上に形成されたコンタクトホールと、互いに分離されて第1絶縁膜上に形成された2個の一定幅の伝導線と、コンタクトホールを除いて、2個の伝導線を覆うように第1絶縁膜上に形成されるとともに、コンタクトホール上端部分に凹面を有する第2絶縁膜と、第2絶縁膜の凹面に形成される伝導性リンクと、伝導性リンクを覆うように基板全面にわたって形成されたキャップ絶縁膜と、を含むことを特徴とするアンチヒューズ構造をもつプログラム可能な半導体素子。
IPC (3)：
H01L 21/82
, B23K 26/00
, H01L 27/10 431
