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J-GLOBAL ID：200903095808235923

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 西 恒寛 ,  橘 誠一郎 ,  中島 睦雄 ,  金生 剛 ,  渡辺 武 ,  長谷川 幸士 ,  畠山 潤
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001123986
Publication number (International publication number)：2002012631
Application date： Apr. 23, 2001
Publication date： Jan. 15, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)及び(2)で示される単位を有する重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(R1はH、CH3又はCH2CO2R3、R2はH、CH3又はCO2R3、R3はアルキル基、R4はH、アルキル基、アルコキシアルキル基又はアシル基、R5はアルキル基又はアリール基、Yはヘテロ原子を含んでもよい2価の炭化水素基を示し、両端で結合する炭素原子と共に環を形成する。Zは3価の炭化水素基を示す。kは0又は1。Wは-O-又は-(NR)-を示し、Rは水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)及び(2)で示される単位を有する重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCH2CO2R3を示す。R2は水素原子、メチル基又はCO2R3を示す。R3は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R4は水素原子、炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を示す。R5は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6〜20の置換されていてもよいアリール基を示す。Yはヘテロ原子を含んでもよい炭素数4〜15の2価の炭化水素基を示し、両端で結合する炭素原子と共に環を形成する。Zは炭素数1〜10の3価の炭化水素基を示す。ZはR1と環を形成してもよく、その場合はR1はメチレン、Zは炭素数1〜10の4価の炭化水素基を示す。kは0又は1である。Wは-O-又は-(NR)-を示し、Rは水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。)

IPC (5)：

C08F232/00 ,  C08F222/06 ,  C08F222/40 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (5)：

C08F232/00 ,  C08F222/06 ,  C08F222/40 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (31)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC03 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  4J100AK31Q ,  4J100AM43Q ,  4J100AR11P ,  4J100AR11R ,  4J100AR32R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03R ,  4J100BA15P ,  4J100BA15R ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC09P ,  4J100BC22P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38