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J-GLOBAL ID：200903095811026120

発光ダイオ-ド

Inventor： 橋本 昌育
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992012115
Publication number (International publication number)：1993041540
Application date： Jan. 27, 1992
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 耐湿特性に優れ寿命の長いアルミニウムを含む化合物半導体からなる発光ダイオ-ドを提供する。【構成】 本発明は積層された複数のGaAlAs層と、そのGaAlAs層から成る半導体素子の表面と裏面にそれぞれ電極を形成し、少なくともその電極の部分を除いた表面の内部においてガリウム酸化物を含む熱酸化物層を形成する。本発明はまた、積層された複数のGaAlAs層と、そのGaAlAs層から成る半導体素子の表面と裏面にそれぞれ電極を形成し、前記半導体素子の周縁部に段部を形成し、少なくとも前記電極の部分を除いた前記表面の内部と前記段部の内部に於てガリウム酸化物を含む熱酸化物層を形成する。そして望ましくは、前記表面部分に形成された前記熱酸化物層上に絶縁層を形成するものである。

Claim (excerpt)：

積層された複数のGaAlAs層と、そのGaAlAs層から成る半導体素子の表面と裏面にそれぞれ設けられた電極と、少なくともその電極の部分を除いたその表面の内部に設けられかつガリウム酸化物を含む熱酸化物層とを具備した事を特徴とする発光ダイオ-ド。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭50-093584
  
• 特開平1-226181
  
• 特開昭62-020383