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J-GLOBAL ID：200903095816763300
セラミックパッケージ用リードフレーム材料
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993341651
Publication number (International publication number)：1995162118
Application date： Dec. 10, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高周波用パッケージに最適なリードフレーム材料の提供を目的とし、特に、低熱膨張、低電気抵抗、高熱伝導特性を有し、Alワイヤーボンディング強度を低下させない構成からなるセラミックパッケージ用リードフレーム材料の提供。【構成】 Fe-Ni合金などの低熱膨張材料10の全面にCu層11をめっきあるいは蒸着などの気相成膜法で被覆してあり、さらに、インナーリード部4には上面のCu層11上に、Ni層12をめっきあるいは蒸着などの気相成膜法で形成し、さらにNi層12上にAl層13を同様に形成し、表皮効果より10MHz以上の高周波に対しては、Cu層11のみに電流が流れ母材となる低熱膨張材料10の影響を受けなくなり、信号線の高速化が可能、インナーリード部4のCu層11上にNi層12を介してAl層13を形成しているため、Fe-Ni合金などの低熱膨張材料10表面に直接形成するものと同等のボンディング強度が得られる。
Claim (excerpt)：
低熱膨張合金により構成されるセラミックパッケージ用リードフレーム材料の全面にCu層が形成されたことを特徴とするセラミックパッケージ用リードフレーム材料。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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