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J-GLOBAL ID：200903095822708729

パターン形成材料及びパターン形成方法

Inventor： 勝山 亜希子
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998352628
Publication number (International publication number)：2000181065
Application date： Dec. 11, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 化学増幅型のレジスト膜に対して電子ビームを用いてパターン露光を行なう場合に、矩形状の断面を有するレジストパターンが得られるようにする。【解決手段】 酸の存在下で反応してアルカリ可溶性に変化するベース樹脂と、電子ビームが照射されると酸を発生する酸発生剤と、沸点が250°C以下のアミン化合物とを含むポジ型の化学増幅型レジスト材料を半導体基板10の上に塗布してレジスト膜11を形成する。レジスト膜11に対してプリベークを行なう際に、レジスト膜11におけるアミンの濃度が表面側で低くて基板側で高くなるようにアミン濃度に傾きを持たせる。レジスト膜11に対して電子ビーム13によりパターン露光を行なった後、熱処理を行なってレジスト膜11の露光部11aをアルカリ可溶性に変化させる。レジスト膜11に対してアルカリ性の現像液を用いて現像を行なうと、矩形状の断面形状を持つレジストパターン14が得られる。

Claim (excerpt)：

酸の存在により反応してアルカリ性現像液に対する溶解性が変化する樹脂組成物と、電子ビームの照射により酸を発生する酸発生剤と、沸点が250°C以下であるアミン化合物とを含んでいることを特徴とするパターン形成材料。

IPC (4)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (5)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 541 Z ,  H01L 21/302 H

F-Term (26)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB17 ,  2H025CB29 ,  2H025CB52 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  5F004BB01 ,  5F004DB27 ,  5F004EA26 ,  5F004FA04 ,  5F056DA01 ,  5F056DA07 ,  5F056DA11 ,  5F056DA13 ,  5F056DA26