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J-GLOBAL ID：200903095831014772

半導体処理装置

Inventor： 渡辺 智司 ,  三瀬 信行 ,  内野 敏幸
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997022366
Publication number (International publication number)：1998223722
Application date： Feb. 05, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】ホットウォール式枚葉式熱処理装置において、取り出し時にウエハ面内に生じる温度分布を低減して、スリップの発生を抑える。【解決手段】ウエハを搬送する治具を2分割にして左右に開閉できる構成とし、反応室の左右の端で予備加熱した後、ウエハを取り出し動作をするように構成する。

Claim (excerpt)：

反応炉中にウエハを概略水平に挿入して処理する半導体処理装置において、上記ウエハの上記反応炉内への挿入と取り出しをする搬送機構と上記搬送機構の先端に取り付けられ、複数分割された搬送治具と、上記搬送治具を概略水平方向に開閉する機構を有したことを特徴とする半導体処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L 21/68 A ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/324 S ,  H01L 21/205